闕端麟(1928年5月19日—2014年12月17日)，出生于福建福州。半導體材料學家。1991當選為中國科學院學部委員(院士)。1984年加入九三學社。九三學社第八屆中央委員會委員，第九、十屆中央委員會常委。
闕端麟1951年畢業(yè)于廈門大學電機系，畢業(yè)后留校任教。1953年調(diào)浙江大學工作，1954年晉升為講師，1978年晉升為副教授，1981年晉升為教授。曾先后任浙江大學電機系實驗室主任、無線電系半導體材料與器件教研室副主任、材料科學與工程系副主任、半導體材料研究室主任、半導體材料研究所所長、浙江大學副校長、校務(wù)委員會副主任等職。
闕端麟忠誠人民的教育事業(yè)，在教育戰(zhàn)線上辛勤耕耘，培養(yǎng)了一大批社會主義事業(yè)接班人。浙江大學是我國最早開辦半導體材料與器件專業(yè)的學校之一，闕端麟是開辦該專業(yè)的最主要骨干教師之一，為該專業(yè)的建設(shè)和發(fā)展做出過重要貢獻。他先后為本科生、研究生開設(shè)了電工材料、半導體材料、半導體專論、真空技術(shù)、半導體物理、近代物理基礎(chǔ)等10多門課程，其中多門課程都是在沒有教科書，甚至沒有系統(tǒng)參考書的情況下，由他首先收集資料開出的。闕端麟由于基礎(chǔ)扎實、知識面寬、根底深厚，講課深入淺出，理論聯(lián)系實際，語言精練而生動，得到學生好評。他注重理論聯(lián)系實際，有很強的實驗技能，在教學過程中一貫重視培養(yǎng)學生實踐和實驗?zāi)芰ΑＴ谒闹笇?，研究生都能較早深入實驗室和工廠參加課題討論、實驗和生產(chǎn)實踐，并從中選擇畢業(yè)論文課題，往往收到很好效果，大多數(shù)研究生的論文都有較高的學術(shù)水平和應(yīng)用價值。在闕端麟的言傳身教訓練下，他的學生都有較強的科研實驗?zāi)芰?。許多學生已成長為各單位業(yè)務(wù)骨干和領(lǐng)導。
闕端麟是我國自己培養(yǎng)的專家，他深信在中國的土地上能夠做出自己的貢獻。幾十年的攀登拼搏，換來了一項又一項成果、發(fā)明，為中國人爭了光。在科研道路上闖過了坎坎坷坷的闕端麟深深體會到，自力更生精神在科技工作中的體現(xiàn)，不僅僅是艱苦奮斗，它更深刻的含義在于利用中國現(xiàn)有條件，去爭取高水平的成果。他對前人的經(jīng)驗和結(jié)論并不盲從，而是獨立思考，批判地吸收，從而有所發(fā)現(xiàn)、有所創(chuàng)造、有所前進。
闕端麟在繁忙的教學工作的同時，堅持不懈地開展前沿領(lǐng)域的科研工作。1954年，他開始從事溫差電材料的研究，跨入了半導體材料這一新興學科，試制成我國第一臺溫差發(fā)動機。1959年轉(zhuǎn)向硅材料的研究，1964年在國內(nèi)首先用硅烷法制成純硅，隨后在浙江大學組成了擴大的研究課題組，于1970年完成了高純硅烷及多晶硅生產(chǎn)的成套技術(shù)研究，工藝簡單，流程短，易于保證高純度，是我國生產(chǎn)高純硅烷的主要方法，該成果獲國家發(fā)明獎三等獎。他首次為國內(nèi)提供了電子工業(yè)急需的純硅烷氣體；負責并領(lǐng)導了極高阻硅單晶的研制，并成功地研制出了探測器級硅單晶、P型電阻率高達100KCM的硅單晶，達到國際水平。在硅單晶電學法測試方面，他進行了新的測試方法和理論研究，提出了雙頻動態(tài)電導法和間歇加熱法測試硅材料導電型號；發(fā)展了紅外光電導衰減壽命測試技術(shù)和理論，創(chuàng)立并首先發(fā)表了高頻單色光電導法壽命測試的表面修正公式。他主持研制生產(chǎn)儀器的技術(shù)指標大大超過同類進口儀器水平，使硅單晶工業(yè)產(chǎn)品壽命測試儀全部國產(chǎn)化，該成果獲國家發(fā)明獎三等獎。20世紀80年代是闕端麟在科研上豐收的時期，除高純硅和測試技術(shù)、測試儀器外，還在硅晶體生長技術(shù)方面取得了實質(zhì)性進展，“氮保護氣氛直拉硅單晶”的研究成功，打破了國外同行專家“不可能采用氮氣做保護氣氛拉制硅單晶”的結(jié)論，取得了6項發(fā)明專利，經(jīng)濟效益和社會效益十分顯著。“減壓充氮直拉硅單晶技術(shù)”被《科技日報》評選為我國1987年10項重大科技成果之一，1988年該成果又在布魯塞爾舉行的第37屆尤里卡世界發(fā)明博覽會上獲金牌獎；1989年獲國家發(fā)明獎二等獎。
他在研究工作中有兩個特色：一是在選題上有自己獨到的見解；二是他一貫重視科研與生產(chǎn)的緊密結(jié)合，將科研成果轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力。
確定研究方向、選擇研究課題在科研工作中具有極其重要的作用，它關(guān)系到能否取得高水平成果、能否有發(fā)展前途。闕端麟在確定研究方向和選題時所遵從的原則是：既要尋找有發(fā)展前途的高水平課題，又要照顧到本單位乃至我國所具備的實際條件，量力而行。20世紀70年代，他經(jīng)過深思熟慮，由研究溫差電材料，轉(zhuǎn)而選擇了量大面廣、性能優(yōu)良的硅材料作為研究方向，邁出了關(guān)鍵的一步；30多年后，他在浙大建成了以高純硅材料為特色的國家重點實驗室。他認為，科學研究不能“人云亦云”、“湊熱鬧”，搞低水平的重復(fù)。在了解和研究前人及同時代人工作的基礎(chǔ)上，必須要有自己的思想和獨特的技術(shù)思路，才會有所建樹。這些思想促使他選題方向正確，且富有創(chuàng)造性，往往取得顯著成果。
闕端麟不僅一直非常重視科研與生產(chǎn)相結(jié)合，而且積極主張努力發(fā)展校辦產(chǎn)業(yè)，他的多項成果一經(jīng)鑒定就直接轉(zhuǎn)入浙江大學半導體廠生產(chǎn)，工廠所創(chuàng)造的經(jīng)濟效益又用來支持學科和實驗室建設(shè)，形成了生產(chǎn)與學科建設(shè)緊密結(jié)合的思路。在此思路的指導下，半導體廠發(fā)展很快，1995年國務(wù)院發(fā)展研究中心授予半導體廠“中華之最”榮譽稱號。
在建設(shè)浙江大學半導體材料學科過程中，闕端麟帶領(lǐng)一班人四處奔波，尋求支持，苦心經(jīng)營，經(jīng)過了由小到大、由“土”變“洋”的漫長道路。闕端麟是國內(nèi)較早開始半導體材料研究的學者之一。闕端麟作為高純硅國家重點實驗室學術(shù)帶頭人、浙江大學半導體材料專業(yè)創(chuàng)始人，他的業(yè)績不僅是上述教學研究成果和發(fā)明，還具有可貴的創(chuàng)業(yè)精神。他苦心經(jīng)營，把幾個人的科研小組發(fā)展成集教學、科研、生產(chǎn)于一體的近百人的集體，建立了一支老中青相結(jié)合的學術(shù)梯隊，創(chuàng)立了擁有數(shù)億元固定資產(chǎn)的基地，為學科的發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。浙江大學半導體材料學科是國務(wù)院學位委員會批準的第一批碩士學位授予點和第一個半導體材料工學博士學位授予點，1988年又被評定、批準為國家教委重點學科。1985年國家計委批準在浙江大學建設(shè)高純硅國家重點實驗室，1987年建成并對外開放。它具備了較好的從事半導體材料和半導體器件教學、研究的條件，已成為培養(yǎng)高質(zhì)量人才、出高水平成果的基地。
闕端麟教授學識淵博，誨人不倦，平易近人，師德高尚，他愛黨愛國，刻苦攻關(guān)，碩果累累。1956年，他被評為浙江大學先進工作者，1983年被評為浙江省五講四美為人師表優(yōu)秀教師，1986年被評為國家級有突出貢獻的中青年專家，1988年獲浙江省勞動模范稱號，1990年被評為全國高等學校先進科技工作者，同年獲全國“五一”勞動獎?wù)?。他在政府和學術(shù)團體中擔任的專業(yè)職務(wù)主要有：浙江省自然科學基金委員會副主任、浙江省學位委員會副主任、浙江省人民政府經(jīng)濟建設(shè)咨詢委員會委員、中國電子學會電子材料學會專業(yè)學會副主任、浙江省電子學會副理事長、國務(wù)院第二屆、第三屆學位委員會非金屬材料學科評議組成員、國家科委發(fā)明委員會特邀評審員、國家自然科學基金委員會半導體學科評審組成員、中國發(fā)明協(xié)會理事等。歷任九三學社中央委員會常委、浙江省委員會主任委員，浙江省政協(xié)副主席。
主要論著
1闕端麟，采用氮保護氣氛制造直拉(切氏法)硅單晶方法，中國發(fā)明專利 ，CN85100295B(已授權(quán))。
2闕端麟，重摻銻硅單晶的制造方法，中國發(fā)明專利，CN86100854B(已授權(quán))。
3闕端麟，直拉硅單晶的氣相摻氮方法，中國發(fā)明專利，CN1003607B(已授權(quán))。
4闕端麟，一種微氮低氧低碳直拉硅單晶的制備方法，中國發(fā)明專利，CN1003797B (已授權(quán))。
5闕端麟，控制直拉硅單晶中氮量的方法，中國發(fā)明專利，CN1040400A(已授權(quán))。
6闕端麟，紅外光源硅單晶少子壽命測試儀，浙江大學學報，1982，3。
7闕端麟，高頻109μ紅外光電導衰減法測試硅單晶非平衡截流子壽命，浙江大 學學報，1985，2。
8闕端麟，高阻探測器級硅單晶，稀有金屬1987，60。
9闕端麟，高阻硅低溫歐姆接觸，半導體學報，1988，9(2)。
10Que Duanlin,Nitrogen Concentration in CZ Silicon Crystals Grown under Nitrogen Atmosphere，Proceedings of 2th International Conference on Solid State and IC Te chnology,Beijing，1989.
11闕端麟，采用氮保護氣氛生長的功率晶體管用硅單晶的研究，浙江大學學報， 1990，24(3)。
12闕端麟，減壓氮保護直拉硅單晶生長，中國科學A輯，1991，2C zochralski Silicon Crystal Growth in Ntrogen Atmosphere Under Reduced Pressure ，Science in China (Series A)，1991.
13闕端麟，含氮CZSi中NN對的退火行為，半導體學報，1991，12(4)。
14闕端麟，微氮硅單晶中的熱受主，半導體學報， 1991，12(8)。
15闕端麟，中國大百科全書·電子學與計算機卷“硅材料”篇。
16O(jiān)ue Duanlin,Czochralski Silicon Crystal Growth in Nitrogen Atmosphere under Reduced Pressure，Science in China (Series A),1991,34(8)：1017～1024.
17Que Duanlin,Surface Recmbination Correction Formula for Measuring Minority Carrie r Lifetime in Silicon Crystals by Monochromatic Light Photoconductive Decay ，Chinese Journal of Electronics,1994,3(4)：76～78.
18Que Duanlin,Oxygen Precipitate of New Morphology in Nitrogen Doped Silicon ， Progress in Natural Science,1994,3(2)：176～180.
19Que Duanlin,Nitrogen Effects on Thermal Donor and Shallow Thermal Donor in Silico n，JApplPhys，1995,77(2)：933.
20Que Duanlin,Effect of Nitrogenoxygen Complex on Electrical Properties of Czoch ralski Silicon，ApplPhysLett.,1996,68(4)：487.
