闕端麟(1928年5月19日—2014年12月17日)，出生于福建福州。半導(dǎo)體材料學(xué)家。1991當(dāng)選為中國科學(xué)院學(xué)部委員(院士)。1984年加入九三學(xué)社。九三學(xué)社第八屆中央委員會(huì)委員，第九、十屆中央委員會(huì)常委。
闕端麟1951年畢業(yè)于廈門大學(xué)電機(jī)系，畢業(yè)后留校任教。1953年調(diào)浙江大學(xué)工作，1954年晉升為講師，1978年晉升為副教授，1981年晉升為教授。曾先后任浙江大學(xué)電機(jī)系實(shí)驗(yàn)室主任、無線電系半導(dǎo)體材料與器件教研室副主任、材料科學(xué)與工程系副主任、半導(dǎo)體材料研究室主任、半導(dǎo)體材料研究所所長、浙江大學(xué)副校長、校務(wù)委員會(huì)副主任等職。
闕端麟忠誠人民的教育事業(yè)，在教育戰(zhàn)線上辛勤耕耘，培養(yǎng)了一大批社會(huì)主義事業(yè)接班人。浙江大學(xué)是我國最早開辦半導(dǎo)體材料與器件專業(yè)的學(xué)校之一，闕端麟是開辦該專業(yè)的最主要骨干教師之一，為該專業(yè)的建設(shè)和發(fā)展做出過重要貢獻(xiàn)。他先后為本科生、研究生開設(shè)了電工材料、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體專論、真空技術(shù)、半導(dǎo)體物理、近代物理基礎(chǔ)等10多門課程，其中多門課程都是在沒有教科書，甚至沒有系統(tǒng)參考書的情況下，由他首先收集資料開出的。闕端麟由于基礎(chǔ)扎實(shí)、知識(shí)面寬、根底深厚，講課深入淺出，理論聯(lián)系實(shí)際，語言精練而生動(dòng)，得到學(xué)生好評(píng)。他注重理論聯(lián)系實(shí)際，有很強(qiáng)的實(shí)驗(yàn)技能，在教學(xué)過程中一貫重視培養(yǎng)學(xué)生實(shí)踐和實(shí)驗(yàn)?zāi)芰?。在他的指?dǎo)下，研究生都能較早深入實(shí)驗(yàn)室和工廠參加課題討論、實(shí)驗(yàn)和生產(chǎn)實(shí)踐，并從中選擇畢業(yè)論文課題，往往收到很好效果，大多數(shù)研究生的論文都有較高的學(xué)術(shù)水平和應(yīng)用價(jià)值。在闕端麟的言傳身教訓(xùn)練下，他的學(xué)生都有較強(qiáng)的科研實(shí)驗(yàn)?zāi)芰ΑＴS多學(xué)生已成長為各單位業(yè)務(wù)骨干和領(lǐng)導(dǎo)。
闕端麟是我國自己培養(yǎng)的專家，他深信在中國的土地上能夠做出自己的貢獻(xiàn)。幾十年的攀登拼搏，換來了一項(xiàng)又一項(xiàng)成果、發(fā)明，為中國人爭了光。在科研道路上闖過了坎坎坷坷的闕端麟深深體會(huì)到，自力更生精神在科技工作中的體現(xiàn)，不僅僅是艱苦奮斗，它更深刻的含義在于利用中國現(xiàn)有條件，去爭取高水平的成果。他對(duì)前人的經(jīng)驗(yàn)和結(jié)論并不盲從，而是獨(dú)立思考，批判地吸收，從而有所發(fā)現(xiàn)、有所創(chuàng)造、有所前進(jìn)。
闕端麟在繁忙的教學(xué)工作的同時(shí)，堅(jiān)持不懈地開展前沿領(lǐng)域的科研工作。1954年，他開始從事溫差電材料的研究，跨入了半導(dǎo)體材料這一新興學(xué)科，試制成我國第一臺(tái)溫差發(fā)動(dòng)機(jī)。1959年轉(zhuǎn)向硅材料的研究，1964年在國內(nèi)首先用硅烷法制成純硅，隨后在浙江大學(xué)組成了擴(kuò)大的研究課題組，于1970年完成了高純硅烷及多晶硅生產(chǎn)的成套技術(shù)研究，工藝簡單，流程短，易于保證高純度，是我國生產(chǎn)高純硅烷的主要方法，該成果獲國家發(fā)明獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)。他首次為國內(nèi)提供了電子工業(yè)急需的純硅烷氣體；負(fù)責(zé)并領(lǐng)導(dǎo)了極高阻硅單晶的研制，并成功地研制出了探測(cè)器級(jí)硅單晶、P型電阻率高達(dá)100KCM的硅單晶，達(dá)到國際水平。在硅單晶電學(xué)法測(cè)試方面，他進(jìn)行了新的測(cè)試方法和理論研究，提出了雙頻動(dòng)態(tài)電導(dǎo)法和間歇加熱法測(cè)試硅材料導(dǎo)電型號(hào)；發(fā)展了紅外光電導(dǎo)衰減壽命測(cè)試技術(shù)和理論，創(chuàng)立并首先發(fā)表了高頻單色光電導(dǎo)法壽命測(cè)試的表面修正公式。他主持研制生產(chǎn)儀器的技術(shù)指標(biāo)大大超過同類進(jìn)口儀器水平，使硅單晶工業(yè)產(chǎn)品壽命測(cè)試儀全部國產(chǎn)化，該成果獲國家發(fā)明獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)。20世紀(jì)80年代是闕端麟在科研上豐收的時(shí)期，除高純硅和測(cè)試技術(shù)、測(cè)試儀器外，還在硅晶體生長技術(shù)方面取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，“氮保護(hù)氣氛直拉硅單晶”的研究成功，打破了國外同行專家“不可能采用氮?dú)庾霰Ｗo(hù)氣氛拉制硅單晶”的結(jié)論，取得了6項(xiàng)發(fā)明專利，經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益十分顯著。“減壓充氮直拉硅單晶技術(shù)”被《科技日?qǐng)?bào)》評(píng)選為我國1987年10項(xiàng)重大科技成果之一，1988年該成果又在布魯塞爾舉行的第37屆尤里卡世界發(fā)明博覽會(huì)上獲金牌獎(jiǎng)；1989年獲國家發(fā)明獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)。
他在研究工作中有兩個(gè)特色：一是在選題上有自己獨(dú)到的見解；二是他一貫重視科研與生產(chǎn)的緊密結(jié)合，將科研成果轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力。
確定研究方向、選擇研究課題在科研工作中具有極其重要的作用，它關(guān)系到能否取得高水平成果、能否有發(fā)展前途。闕端麟在確定研究方向和選題時(shí)所遵從的原則是：既要尋找有發(fā)展前途的高水平課題，又要照顧到本單位乃至我國所具備的實(shí)際條件，量力而行。20世紀(jì)70年代，他經(jīng)過深思熟慮，由研究溫差電材料，轉(zhuǎn)而選擇了量大面廣、性能優(yōu)良的硅材料作為研究方向，邁出了關(guān)鍵的一步；30多年后，他在浙大建成了以高純硅材料為特色的國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。他認(rèn)為，科學(xué)研究不能“人云亦云”、“湊熱鬧”，搞低水平的重復(fù)。在了解和研究前人及同時(shí)代人工作的基礎(chǔ)上，必須要有自己的思想和獨(dú)特的技術(shù)思路，才會(huì)有所建樹。這些思想促使他選題方向正確，且富有創(chuàng)造性，往往取得顯著成果。
闕端麟不僅一直非常重視科研與生產(chǎn)相結(jié)合，而且積極主張努力發(fā)展校辦產(chǎn)業(yè)，他的多項(xiàng)成果一經(jīng)鑒定就直接轉(zhuǎn)入浙江大學(xué)半導(dǎo)體廠生產(chǎn)，工廠所創(chuàng)造的經(jīng)濟(jì)效益又用來支持學(xué)科和實(shí)驗(yàn)室建設(shè)，形成了生產(chǎn)與學(xué)科建設(shè)緊密結(jié)合的思路。在此思路的指導(dǎo)下，半導(dǎo)體廠發(fā)展很快，1995年國務(wù)院發(fā)展研究中心授予半導(dǎo)體廠“中華之最”榮譽(yù)稱號(hào)。
在建設(shè)浙江大學(xué)半導(dǎo)體材料學(xué)科過程中，闕端麟帶領(lǐng)一班人四處奔波，尋求支持，苦心經(jīng)營，經(jīng)過了由小到大、由“土”變“洋”的漫長道路。闕端麟是國內(nèi)較早開始半導(dǎo)體材料研究的學(xué)者之一。闕端麟作為高純硅國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)帶頭人、浙江大學(xué)半導(dǎo)體材料專業(yè)創(chuàng)始人，他的業(yè)績不僅是上述教學(xué)研究成果和發(fā)明，還具有可貴的創(chuàng)業(yè)精神。他苦心經(jīng)營，把幾個(gè)人的科研小組發(fā)展成集教學(xué)、科研、生產(chǎn)于一體的近百人的集體，建立了一支老中青相結(jié)合的學(xué)術(shù)梯隊(duì)，創(chuàng)立了擁有數(shù)億元固定資產(chǎn)的基地，為學(xué)科的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。浙江大學(xué)半導(dǎo)體材料學(xué)科是國務(wù)院學(xué)位委員會(huì)批準(zhǔn)的第一批碩士學(xué)位授予點(diǎn)和第一個(gè)半導(dǎo)體材料工學(xué)博士學(xué)位授予點(diǎn)，1988年又被評(píng)定、批準(zhǔn)為國家教委重點(diǎn)學(xué)科。1985年國家計(jì)委批準(zhǔn)在浙江大學(xué)建設(shè)高純硅國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，1987年建成并對(duì)外開放。它具備了較好的從事半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件教學(xué)、研究的條件，已成為培養(yǎng)高質(zhì)量人才、出高水平成果的基地。
闕端麟教授學(xué)識(shí)淵博，誨人不倦，平易近人，師德高尚，他愛黨愛國，刻苦攻關(guān)，碩果累累。1956年，他被評(píng)為浙江大學(xué)先進(jìn)工作者，1983年被評(píng)為浙江省五講四美為人師表優(yōu)秀教師，1986年被評(píng)為國家級(jí)有突出貢獻(xiàn)的中青年專家，1988年獲浙江省勞動(dòng)模范稱號(hào)，1990年被評(píng)為全國高等學(xué)校先進(jìn)科技工作者，同年獲全國“五一”勞動(dòng)獎(jiǎng)?wù)?。他在政府和學(xué)術(shù)團(tuán)體中擔(dān)任的專業(yè)職務(wù)主要有：浙江省自然科學(xué)基金委員會(huì)副主任、浙江省學(xué)位委員會(huì)副主任、浙江省人民政府經(jīng)濟(jì)建設(shè)咨詢委員會(huì)委員、中國電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)會(huì)專業(yè)學(xué)會(huì)副主任、浙江省電子學(xué)會(huì)副理事長、國務(wù)院第二屆、第三屆學(xué)位委員會(huì)非金屬材料學(xué)科評(píng)議組成員、國家科委發(fā)明委員會(huì)特邀評(píng)審員、國家自然科學(xué)基金委員會(huì)半導(dǎo)體學(xué)科評(píng)審組成員、中國發(fā)明協(xié)會(huì)理事等。歷任九三學(xué)社中央委員會(huì)常委、浙江省委員會(huì)主任委員，浙江省政協(xié)副主席。
主要論著
1闕端麟，采用氮保護(hù)氣氛制造直拉(切氏法)硅單晶方法，中國發(fā)明專利 ，CN85100295B(已授權(quán))。
2闕端麟，重?fù)戒R硅單晶的制造方法，中國發(fā)明專利，CN86100854B(已授權(quán))。
3闕端麟，直拉硅單晶的氣相摻氮方法，中國發(fā)明專利，CN1003607B(已授權(quán))。
4闕端麟，一種微氮低氧低碳直拉硅單晶的制備方法，中國發(fā)明專利，CN1003797B (已授權(quán))。
5闕端麟，控制直拉硅單晶中氮量的方法，中國發(fā)明專利，CN1040400A(已授權(quán))。
6闕端麟，紅外光源硅單晶少子壽命測(cè)試儀，浙江大學(xué)學(xué)報(bào)，1982，3。
7闕端麟，高頻109μ紅外光電導(dǎo)衰減法測(cè)試硅單晶非平衡截流子壽命，浙江大 學(xué)學(xué)報(bào)，1985，2。
8闕端麟，高阻探測(cè)器級(jí)硅單晶，稀有金屬1987，60。
9闕端麟，高阻硅低溫歐姆接觸，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，1988，9(2)。
10Que Duanlin,Nitrogen Concentration in CZ Silicon Crystals Grown under Nitrogen Atmosphere，Proceedings of 2th International Conference on Solid State and IC Te chnology,Beijing，1989.
11闕端麟，采用氮保護(hù)氣氛生長的功率晶體管用硅單晶的研究，浙江大學(xué)學(xué)報(bào)， 1990，24(3)。
12闕端麟，減壓氮保護(hù)直拉硅單晶生長，中國科學(xué)A輯，1991，2C zochralski Silicon Crystal Growth in Ntrogen Atmosphere Under Reduced Pressure ，Science in China (Series A)，1991.
13闕端麟，含氮CZSi中NN對(duì)的退火行為，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，1991，12(4)。
14闕端麟，微氮硅單晶中的熱受主，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)， 1991，12(8)。
15闕端麟，中國大百科全書·電子學(xué)與計(jì)算機(jī)卷“硅材料”篇。
16O(jiān)ue Duanlin,Czochralski Silicon Crystal Growth in Nitrogen Atmosphere under Reduced Pressure，Science in China (Series A),1991,34(8)：1017～1024.
17Que Duanlin,Surface Recmbination Correction Formula for Measuring Minority Carrie r Lifetime in Silicon Crystals by Monochromatic Light Photoconductive Decay ，Chinese Journal of Electronics,1994,3(4)：76～78.
18Que Duanlin,Oxygen Precipitate of New Morphology in Nitrogen Doped Silicon ， Progress in Natural Science,1994,3(2)：176～180.
19Que Duanlin,Nitrogen Effects on Thermal Donor and Shallow Thermal Donor in Silico n，JApplPhys，1995,77(2)：933.
20Que Duanlin,Effect of Nitrogenoxygen Complex on Electrical Properties of Czoch ralski Silicon，ApplPhysLett.,1996,68(4)：487.
