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褚君浩


褚君浩(1945年3月20日—),出生于江蘇宜興。紅外物理學(xué)家。2005年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士。1985年加入九三學(xué)社。

褚君浩出生在江蘇宜興一個(gè)書香家庭,父親是老師,新中國成立后在華師大從事地理工作。從小受父親影響,褚君浩對理科特別感興趣,尤其是上中學(xué)之后,更是迷戀上了物理。初三時(shí)他開始閱讀天文學(xué)書籍,高中時(shí)閱讀了《相對論ABC》和原子物理學(xué)方面的書籍,還看了好多科普書和科學(xué)家傳記。1962年高考時(shí),褚君浩連續(xù)填報(bào)了復(fù)旦大學(xué)物理系、華師大物理系和上海師院(上師大前身)物理系三個(gè)志愿,非物理系不上。那年,雖然物理考了滿分,但由于作文失誤,總分被拉了下來,就進(jìn)了第三志愿——上海師院。

憑著勤奮、好學(xué)和執(zhí)著,“文革”后他考上了中科院上海技物所的研究生,師從我國著名的紅外物理學(xué)家、中科院院士湯定元,開始了他在紅外物理領(lǐng)域的探求。1984年,他成為我國培養(yǎng)的第一個(gè)紅外物理博士。1986年2月至1988年10月,他獲得德國洪堡基金,赴德國慕尼黑技術(shù)大學(xué)物理系從事半導(dǎo)體二維電子氣研究,1993年7月至2003年1月任中科院紅外物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任,現(xiàn)任中科院上海技術(shù)物理研究所學(xué)位委員會(huì)副主任,兼任《紅外與毫米波學(xué)報(bào)》主編,上海太陽能電池研發(fā)中心主任,華東師范大學(xué)信息學(xué)院院長,上海市紅外與遙感學(xué)會(huì)理事長,上海市科普作家協(xié)會(huì)理事長,SPIE—中國委員會(huì)副主席,國際光學(xué)工程學(xué)會(huì)理事等職務(wù)。

一路走來,褚君浩感觸最深的是科學(xué)研究要持之以恒,做到“求實(shí)、漸進(jìn)、創(chuàng)新、跨越”。他喜歡將研究工作比做挖井——選好地點(diǎn),然后就踏踏實(shí)實(shí)勤勤懇懇地去探究,直到挖出水來,他被贊譽(yù)為“挖井院士”。

在德國期間,實(shí)驗(yàn)上研究二維電子躍遷過程中他遇到一個(gè)難題,即要求遠(yuǎn)紅外激光器非常穩(wěn)定。當(dāng)時(shí)他想出很多辦法反復(fù)檢驗(yàn),花了整整一個(gè)星期時(shí)間終于調(diào)節(jié)出可以保持長達(dá)8小時(shí)穩(wěn)定的遠(yuǎn)紅外激光輸出,令一向嚴(yán)謹(jǐn)、苛刻的德國人非常佩服??墒呛髞硭麉s由于太專注地用這個(gè)激光器做電子自旋共振實(shí)驗(yàn)竟然忘記調(diào)節(jié)實(shí)驗(yàn)室的暖氣閥,實(shí)驗(yàn)結(jié)束后就發(fā)熱得了嚴(yán)重肺炎,經(jīng)過三個(gè)星期才治愈。正是這種專心致志、不怕艱苦的科研精神成就了褚君浩今天豐碩的成果。

2000年,美國KluwerAcademic/Plenum出版社計(jì)劃出版《微科學(xué)叢書》,主編之一ASher推薦褚君浩撰寫專著,并評價(jià)說:“在窄禁帶半導(dǎo)體物理學(xué)領(lǐng)域,他們現(xiàn)在不僅已經(jīng)趕上世界先進(jìn)水平,并且在一些方面走在了前面。”2005年,他撰寫的《窄禁帶半導(dǎo)體物理學(xué)》(中文版)出版。湯定元院士在序中評價(jià)這本書是“全面綜述窄禁帶半導(dǎo)體有關(guān)研究成果的國際上第一本專著”。2005年他獲得國家自然科學(xué)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)的項(xiàng)目“碲鎘汞薄膜的光電躍遷和紅外焦平面材料器件研究”,處于紅外光電子信息學(xué)科的前沿。他從20世紀(jì)90年代初就開始這項(xiàng)研究,主要是研究碲鎘汞半導(dǎo)體中的帶間光吸收躍遷效應(yīng),以及帶內(nèi)、雜質(zhì)、聲子光躍遷、載流子輸運(yùn)和碲鎘汞紅外焦平面材料器件研制的基本物理問題。多年的努力獲得了成功,這個(gè)項(xiàng)目發(fā)表論文后被國際同行廣泛引用,其中獲得的碲鎘汞帶間躍遷本征吸收系數(shù)表達(dá)式等14項(xiàng)描述碲鎘汞基本物理性質(zhì)的研究結(jié)果,被寫入了國際權(quán)威科學(xué)手冊《科學(xué)技術(shù)中的數(shù)據(jù)和函數(shù)關(guān)系》,成為碲鎘汞材紅外焦平面材料器件設(shè)計(jì)的重要依據(jù)?!墩麕О雽?dǎo)體物理學(xué)》的英文版由Springer分兩冊出版,第一冊PhysicsandPropertiesofNarrowGapSemiconductors已在2007年出版,第二冊DevicePhysicsofNarrowGapSemiconductors已在2009年出版。

褚君浩認(rèn)為,科學(xué)研究不應(yīng)僅僅停留在理論基礎(chǔ)上,更要與實(shí)際運(yùn)用相結(jié)合,“我的老師湯定元院士主張‘格物致知,學(xué)以致用’,在掌握科學(xué)規(guī)律后,就要把基礎(chǔ)研究與器件設(shè)計(jì)相結(jié)合”。以“碲鎘汞薄膜的光電躍遷和紅外焦平面材料器件研究”這個(gè)項(xiàng)目而言,其研究結(jié)果解決了材料設(shè)計(jì)、生長和表征以及器件設(shè)計(jì)和制備中的技術(shù)基礎(chǔ)問題,從而研制成64×64元碲鎘汞紅外焦平面列陣,研制成1024×1元的碲鎘汞線列焦平面,最近又促進(jìn)了2048×1元和128×128元碲鎘汞焦平面器件的研制成功,實(shí)現(xiàn)了紅外成像。其中256×1元碲鎘汞線列焦平面還在衛(wèi)星上獲得實(shí)際應(yīng)用,它所達(dá)到的器件水平在國際上繼美國和法國之后位居第三。

在做好科研的同時(shí),褚君浩也非常重視教育。他認(rèn)為為人師首先要了解對方,其次教育要達(dá)到互動(dòng),因?yàn)椴煌娜擞胁煌慕邮芊绞?,所以要講究方法和效率。對學(xué)生,他主張除了傳授知識外,要充分發(fā)揮學(xué)生的主觀能動(dòng)性,啟發(fā)為主,指導(dǎo)為輔。此外,他對學(xué)生的研究態(tài)度有嚴(yán)格的要求,其核心是踏實(shí)和嚴(yán)謹(jǐn),“我常給學(xué)生舉這個(gè)例子,研究就像在挖井,只要確定這里有水就要一直挖下去,不能因?yàn)橐粫r(shí)的困難就放棄,東挖一下,西挖一下,結(jié)果就是到處沒水。當(dāng)然在這口井挖到足夠深的時(shí)候,認(rèn)準(zhǔn)方向去挖另一個(gè)井,說不定這兩口井是相通的”。這是他多年研究的心得,也是給學(xué)生們的指路明燈。這些年來,他已培養(yǎng)50多名博士,其中獲得全國百篇優(yōu)秀博士論文獎(jiǎng)2名,中國科學(xué)院院長特別獎(jiǎng)2名、優(yōu)秀獎(jiǎng)2名。

在褚君浩的心中,國家利益、社會(huì)責(zé)任始終擺在最重要的位置上。在德國兩年零十個(gè)月的時(shí)間里,他從事的研究項(xiàng)目與中科院上海技物所原來的研究密切相關(guān),“與國外相比,當(dāng)時(shí)國內(nèi)的研究條件很有限,我非常珍惜這個(gè)機(jī)會(huì),利用外國先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備,吸收他們先進(jìn)的研究方法,那段時(shí)間的成果和經(jīng)驗(yàn)對國內(nèi)今后的研究是一次很好的積累”。懷著對祖國科學(xué)發(fā)展的責(zé)任感,德國優(yōu)厚的研究和生活條件并沒有打動(dòng)他,當(dāng)中科院上海技物所召他回國時(shí),褚君浩義無反顧地舉家回國。回顧這些年的發(fā)展,他得出結(jié)論:科學(xué)技術(shù)的發(fā)展對國家的發(fā)展至關(guān)重要,所以科研工作者的成就感要與國家榮譽(yù)、社會(huì)責(zé)任緊密相連。

在褚君浩的科學(xué)人生中,成功的心得是要認(rèn)準(zhǔn)方向,不懈努力。在參加了全國科技大會(huì)后,他認(rèn)為盡管政府已做出了建設(shè)創(chuàng)新型國家的決策,強(qiáng)調(diào)要走自主創(chuàng)新道路,但是創(chuàng)新不可能無故出現(xiàn),量變的積累是個(gè)相當(dāng)漫長的過程。“所以對我來說,科學(xué)研究沒有終點(diǎn)。”

主要論著

1褚君浩,窄禁帶半導(dǎo)體物理學(xué), 科學(xué)出版社,2005。

2Junhao Chu and Arden Sher,Physics and Properties of Narrow Gap Semiconductors,Springer,2007

3Junhao Chu and Arden Sher,Devices Physics of Narrow Gap Semiconductors, Springer,2007

4RBlachnik,JChu,RRGalazka,JGeurts,JGutowski,BHonerlage,DEHofm ann,JKossut,RLevy,PMichler,UNeukirch,DStrauch,TStory,AWaag,Landol t-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/41B Semiconductors: II-VI and I-VII Compounds; Semimagnetic Compounds, Edited By U Rossler,Springer, 1999

5JChu,TDietl,WDobrowolski,JGutowski,BKMeyer,KSebald,TStory,T Voss, Landolt-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/44B: New Data and Updates and Updates for II-VI Compounds,Springer, 2008:347

6Junhao Chu,Pulin Liu,Yong Chang Editors,Proceedings of Fourth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol4086,World Scientific, 2000

7Junhao Chu,Zongsheng Lai,Lianwei Wang,Shaohui Xu Editors,Proceedings of Fifth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol 5774,World Scientific, 2004

8Junhao Chu,Shiqiu Xu,and Dingyuau Tang,Energy Gap Versus Alloy Composition and Temperature in HgCdTe ApplPhysLett,1983,43(11):1064

9Chu Junhao,Xu shiqiu,Tang Dingyuan,The Energy Band Gap of Ternary Semiconductor HgCdTe Kexe Tongbao,1983,8(6):851

10Junhao Chu,Dingrong Qian,and Dingyuan Tang,Burstein Moss Effect in HgCdTe Physics Scripta,VolT14,1986,37

11Junhao Chu,RSizmann,RWollrab,FKoch,JZiegle,HMaier,The Study of Capacitance Spectroscopy of Resonant Defect States in HgCdTe,JInfrared & MillimWaves,1989,8(5):395

12Chu Junhao,Mi Zhengyu,Study on Two Dimensional Electron Gas for P-HgCdTe MIS Heterostructures,JInfrared ,MillimWaves,1989,8(6):54~63

13Junhao Chu,RSizmann,FKoch,Dispersion Relation and Landau Levels of Inversion Layer Subband on P-HgCdTe,Science in China,1990,A 33(10):1192

14Junhao Chu,Zhengyu Mi,Subband Structure Models of N-inversion Layer in Narrow Gap Semiconductors,JInfrared & MillimWaves,1990,9(3):209

15Junhao Chu,SCShen,RSizmann,FKoch,JZiegler,HMaier,Subband Electron Cyclotron Resonance and Spin Resonance P-HgCdTe MIS Heterostructures,Surface Science,1991,241:204~210.

16Junhao Chu,Xuechu Shen,RSizmann,FKoch,Magneto Optical Resonance of Subband Electron for HgCdTe,JInfrared MillimWaves,1991,10(1):50

17Junhao Chu,Zhengyu Mi and Dingyuag Tang,Intrinsic Absorption and Related Quantities in HgCdTe,Infrared Physics,1991,32:195

18JHChu,ZYMi,RSizman,and FKoch,Subband Structure in the Electric Cuantum Limit in HgCdTe,PhysRev,1991,B44:1717

19Junhao Chu,Zhengyu Mi and Dingyuan Tang,Band to Band Optical Absorption in Narrow-gap HgCdTe Semiconductors,JApplPhys,1992,71(8):3955

20JHChu,ZYMi,RSizmann,FKoch,RWollrab,JZiegler,HMaier,Influe nce of Resonant Defect States on Subband Structure in HgCdTe JVacSciTech ,1992,B 10(4):1569

21JHChu and SCShen,The Study of Far-infrared Phonon Spectra on HgCdTe Semicond,Sci& Tech,1993,8:S86~S89

22JHChu,BLi,KLiu,and DYTang,Empirical Rule of Intrinsic Absorption-spectroscopy in HgCdTe,JApplPhys,1994,1234

23Junhao Chu,Dingyuan Tang,Recent Progress on HgCdTe at the National Laboratory for Infrared Physics in China,JElectronic Materials,1996,25 (8):1176

24Junhao Chu,Yongsheng Gui,Biao Li ,Dingyuan Tang,Determination of Cut-off Wavelength and Composition Distribution in Hg1- xCdxTe,JElectronMater1998,27(6):718