3月11日，陜西省省長劉國中主持召開省政府第六次常務會議。會議研究了2019年度省科學技術獎勵等工作。會議決定，授予郝躍、楊紹卿、安芷生三位院士2019年度陜西省最高科學技術獎，并對260個項目進行獎勵。

據(jù)悉，陜西省最高科學技術獎主要授予在本省從事科學研究或技術開發(fā)轉化工作中做出重大貢獻的科學技術工作者或組織。

郝躍院士，長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。是我國第三代半導體電子學領域的開拓者和引領者，也是該領域享譽全球的微電子學知名學者。

郝躍院士長期奮斗在科研和教學一線，從上世紀九十年代開始研究第三代（寬禁帶）半導體材料與器件研究，開拓和引領了我國第三代（寬禁帶）半導體電子材料與器件的發(fā)展。在基礎研究方面攻克了低缺陷氮化鎵材料生長的難題，研制出高質量材料生長的設備，實現(xiàn)了同期最高效率的氮化鎵微波功率器件、最高亮度的深紫外氮化鎵LED器件，創(chuàng)建了我國第三代半導體氮化鎵外延生長、器件結構以及制造工藝的理論與技術體系，實現(xiàn)了我國第三代半導體從核心設備、材料到器件的重大創(chuàng)新，并使我國在氮化物第三代半導體電子器件步入國際領先行列。成果應用于國防和國家重點領域，為國家科技與經(jīng)濟發(fā)展做出了突出貢獻?？蒲薪虒W成果使得陜西省在第三代半導體研究領域處于國內領先地位，在國際上有重要地位。

郝躍院士曾獲1998年國家科學技術進步獎三等獎，2009年國家技術發(fā)明獎二等獎，2015年國家科學技術進步獎二等獎，2008年國家科學技術進步獎二等獎，2010年獲得何梁何利科學與技術進步獎和2014年國家級教學成果二等獎，2018年國家級教學成果一等獎。

郝躍院士獲得2019年度陜西省最高科學技術獎，這是對一位三十年來，艱苦奮斗、潛心探索、為我省科技事業(yè)做出突出貢獻的科學家的肯定，也是對三十年來矢志不渝、攀登科學高峰，付出無數(shù)心血和智慧的科學家的贊譽。郝躍院士既是廣大科技工作者的榜樣，也是全省廣大九三學社社員的驕傲，更是九三學社的榮光。郝躍院士將繼續(xù)帶領團隊，攻堅克難、持續(xù)創(chuàng)新，不斷沖擊新的世界科技前沿，為實現(xiàn)“兩個一百年”奮斗目標和中華民族偉大復興的中國夢作出新的更大貢獻！（李靜）