新華社1月11日播發(fā)的《永遠的豐碑》第310期中，詳細介紹了九三學社社員、世界著名物理學家黃昆的先進事跡。

黃昆院士1919年9月出生于北京，1941年畢業(yè)于燕京大學物理系。1945年赴英國留學，1948年獲英國布里斯托（Bris- tol） 大學哲學博士學位，1949―1951年在英國利物浦大學理論物理系任博士后研究員，1951―1977年在北京大學物理系任教授，1957年加入九三學社，1959年加入中國共產(chǎn)黨，1977―1983年任中國科學院半導體研究所所長，1983年以后，任名譽所長。1987―1991年曾任中國物理學會理事長。他先后被選為中國科學院學部委員（院士）（1955年），瑞典皇家科學院外籍院士（1980年），第三世界科學院院士（1985年）。
　　黃昆院士是世界著名的物理學家，他對固體物理學做出了許多開拓性的重大貢獻，是我國固體物理學和半導體物理學的奠基人之一。他從理論上預言了與晶格中雜質(zhì)有關(guān)的X光漫散射，以后被稱為“黃散射”。這個理論在20世紀60年代獲實驗證實，“黃散射”已發(fā)展成為一種能直接研究固體中微觀缺陷的有效手段。他的多聲子躍遷理論，以“黃―里斯因子”

而著稱于世。他提出關(guān)于描述晶體中光學位移、宏觀電場與電極化三者關(guān)系的“黃方程”和由此引伸的電磁波與晶格振動的耦合，即后來稱為極化激元的重要概念。他與M.Born合著的《晶格動力學理論》一書，是一部有世界影響的經(jīng)典性科學專著。他的理論對信息產(chǎn)業(yè)（特別是光電子產(chǎn)業(yè)）具有重要的現(xiàn)實指導意義，產(chǎn)生著越來越深遠的影響。近年來，他與合作者對半導體超晶格的電子態(tài)和聲子模開展了系統(tǒng)而富有成效的研究。半個世紀以來，他不僅對固體物理做出了重要貢獻。同時，還對高等學校中普通物理、固體物理和半導體物理的教學做出了十分重要的貢獻。
　　黃昆院士熱愛祖國，熱愛科技事業(yè)，辛勤開拓，奮斗不息，為創(chuàng)建和發(fā)展我國半導體科技事業(yè)做出重要貢獻。
　　黃昆院士同時是我國半導體科技界的一代宗師，培養(yǎng)了一批又一批國家科技棟梁之才。
　　2002年為表彰黃昆院士在固體物理學領(lǐng)域的杰出成就和貢獻，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術(shù)獎。榮獲1995年度何梁何利基金科學與技術(shù)成就獎。2005年7月6日，黃昆院士病逝。

《永遠的豐碑》大型主題宣傳活動是新華社聯(lián)合人民日報、光明日報、經(jīng)濟日報和中央人民廣播電臺、中央電視臺等中央主要新聞單位和各省區(qū)市主要新聞媒體，從去年2月1日起共同推出的。旨在充分展示80多年來，中國共產(chǎn)黨人團結(jié)和帶領(lǐng)中國人民，為了民族獨立和解放，為了國家富強和人民幸福，拋頭顱、灑熱血，艱苦奮斗、無私奉獻的風采，回顧中國共產(chǎn)黨人發(fā)揮先鋒模范作用，永葆先進性的歷史，深入開展保持共產(chǎn)黨員先進性教育活動，共同建設小康社會，推進中國特色社會主義偉大事業(yè)。